Pat
J-GLOBAL ID：200903060078328388
マグネシウム薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002214705
Publication number (International publication number)：2004053540
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】マグネシウム薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法を提供する。【解決手段】マグネシウム薄膜を用いた水素センサ材料であって、(1)マグネシウム薄膜の厚さが40nm以下である、(2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、(3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、(4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、ことを特徴とする水素センサ材料、当該水素センサ材料を用いた水素濃度の計測方法、及び水素の検知方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
マグネシウム薄膜を用いた水素センサ材料であって、
(1)マグネシウム薄膜の厚さが40nm以下である、
(2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、
(3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、
(4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、
ことを特徴とする水素センサ材料。
IPC (3)：
G01N27/12
, G01N21/59
, G01N21/75
G01N27/12 C
, G01N27/12 B
, G01N21/59 Z
, G01N21/75 Z
2G046AA05
, 2G046BA01
, 2G046BA04
, 2G046BA06
, 2G046BA09
, 2G046BF01
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046EA12
, 2G046EB01
, 2G046FB00
, 2G046FE20
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G054AA01
, 2G054AB07
, 2G054BA02
, 2G054CA04
, 2G054FA27
, 2G054GE07
, 2G059AA01
, 2G059BB01
, 2G059CC20
, 2G059DD12
, 2G059DD13
, 2G059EE01
, 2G059GG01
, 2G059GG02
, 2G059HH02
, 2G059HH06
, 2G059KK10
, 2G059MM01
Cited by examiner (3)
-
対水素反応素子およびそれを用いた水素検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-338157
Applicant：株式会社豊田中央研究所
-
マグネシウム薄膜を用いた調光ミラーガラス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-065004
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
-
光学スイッチングデバイス
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2000-571306
Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
