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J-GLOBAL ID：200903060078516460

半導体装置

Inventor： 見渡 忠浩
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992254412
Publication number (International publication number)：1994112328
Application date： Sep. 24, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】層間絶縁膜に形成した接続孔により、第1の金属配線層と第2の金属配線層を接続する半導体装置において、接続孔を埋め込む金属膜を良好に埋め込む手段を提供する。【構成】第1の金属配線層上を、シリコン酸化膜とSOG膜からなる層間絶縁膜によって平坦化した半導体装置において、層間絶縁膜に接続孔を設ける場合、接続孔下の配線層幅が10μm以上の場合は、接続孔下の配線層の幅が10μm未満に比べて1.5〜2.5倍大きくする。

Claim (excerpt)：

2層以上の多層配線層を有し、各配線層は、平坦化した絶縁膜に設けられた接続孔により接続された半導体装置において、接続孔の大きさを2種類以上とし、接続孔上部の面積を、接続孔下の配線層の幅が10μm以上の場合は、接続孔下の配線層の幅10μm未満に比べて1.5〜2.5倍大きくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302