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J-GLOBAL ID：200903060083500520

圧電素子保持構造

Inventor： 岡畑 恵雄 ,  岩淵 房行
Applicant, Patent owner： 株式会社昭和クリスタル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997199111
Publication number (International publication number)：1999014525
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【目的】 本保持構造によって,圧電現象を損なうことなく気密性,絶縁性に優れた構造となり,本圧電素子センサは,高塩濃度の水相中でのDNAやたんぱく質などの生体分子間相互作用を定量的に検出するセンサとして使用する。【構成】 圧電素子(2)を填め合わせる樹脂系容器(1)の填合部輪郭に圧電素子の外周を被覆した樹脂系額リング(6)又は,ボス(8)を成形して圧電素子を保持固定し,電気的特性を損なうことなく気密,絶縁性を維持させた構造を特徴とする。

Claim (excerpt)：

圧電素子(2)を導電性接着剤か,はんだ(3)で保持固定し,その圧電素子外周を樹脂系枠リング(6)で,超音波で圧着し密封した圧電素子保持構造。

IPC (6)：

G01N 5/02 ,  G01N 29/02 ,  H01L 41/08 ,  H03H 9/17 ,  C12M 1/00 ,  C12Q 1/68

FI (6)：

G01N 5/02 A ,  G01N 29/02 ,  H03H 9/17 Z ,  C12M 1/00 A ,  C12Q 1/68 A ,  H01L 41/08 Z