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J-GLOBAL ID：200903060088438165

裸の半導体回路ダイキャリア

Inventor： ファリボーツ・アガーデル ,  ブラッド・グリスワールド ,  シード・フセイン ,  ロバート・モティ ,  ウィリアム・シィ・ロビネッテ・ジュニア ,  チュン・ダブリュ・ホー
Applicant, Patent owner： マイクロモジュール・システムズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290351
Publication number (International publication number)：1994244253
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体回路のテストのための新規な裸のダイのキャリアを提供する。【構成】 このキャリアは、開口および外周部を規定する基板(16)と、周辺部に配置される複数のI/Oパッド(36)と、ポリマ誘電体に形成される複数の個々の導体(34)の複合を含む配線回路とを含み、配線回路は、開口にわたる柔軟な薄膜を形成するように開口にわたって延在しかつ基板の頂面上にあり、さらに、導体に接続され、粒子をダイコンタクトパッド上に堆積して、柔軟な薄膜のまわりに配置される複数のダイコンタクトパッドと、薄膜から直立しかつテストダイ(22)を受けるような大きさにされるフェンス(23)と、ダイがフェンス内で受けられるとダイ上に来る頂部キャップ(12)と、基板の底面に接している底部キャップ(14)と、ダイを間に配置して頂部キャップを底部キャップに固定するための締付具とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体回路をテストする際に使用するための裸の半導体回路ダイキャリアであって、外周領域を含む基板と、前記基板の外周領域に配置される複数のI/Oパッドと、ポリマ誘電体上に形成される複数の個々の導体の複合を含む配線回路とを含み、前記配線回路は基板の頂面上にあり、さらに内周部によって囲まれる、配線回路の部分から直立する、ダイを受けるような大きさにされるフェンスと、前記フェンス内の配線回路上に配置される複数のダイコンタクトパッドとを含み、前記複数の導体は、前記I/Oパッドと前記ダイコンタクトパッドとの間の複数の電気経路を形成し、前記フェンスによって囲まれる前記配線回路の部分は、個々のダイコンタクトパッドに与えられる普通の力によって前記コンタクトパッドを互いに関して平坦にできるコンプライアンス領域を含み、さらに頂部キャップと、底部キャップと、前記頂部キャップと前記底部キャップとの間に前記基板およびダイを配置して、それらの間に前記基板およびダイを固定するための手段とを含む、裸の半導体回路ダイキャリア。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26