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J-GLOBAL ID:200903060097882019

中空導波路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松本 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993119532
Publication number (International publication number):1994331846
Application date: May. 21, 1993
Publication date: Dec. 02, 1994
Summary:
【要約】【目的】高出力レーザ光の伝送特性及び耐候性に優れた長寿命の中空導波路を提供する。【構成】管状の誘電体層3で中空領域5を構成し、この領域5に高出力のレーザ光を伝送させる中空導波路である。誘電体層3として、CO2 レーザ等に対応して赤外波長域で吸収の少ない材料を用い、誘電体層3の内壁に化学的に安定なZnS層4を形成する。誘電体層3としては、Ge,ZnSe,PbF2 ,CaF2 ,BaF2 ,KCl,CdTe,CsBr,GaAs,KBr,KRS-5,NaClのうち少なくとも1つを用いる。ZnS層により、製造工程で母材をエッチング除去するときに誘電体層3が直接エッチング液に接触することがなく、レーザ光の波長等の条件に合せて最適の材料(Ge,CaF2 等)を選定できる。
Claim (excerpt):
管状の誘電体で中空領域を構成し、当該中空領域に高出力のレーザ光を伝送させる中空導波路において、前記誘電体として赤外波長域で吸収の少ない材料を用い、当該誘電体の内壁にZnS層を形成したことを特徴とする中空導波路。

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