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J-GLOBAL ID：200903060098408957

蒸着装置、これを用いた薄膜の製造方法及び薄膜

Inventor： 谷 知 ,  畑田 研司 ,  鳥飼 潤 ,  望月 清人
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社 ,  東洋メタライジング株式会社
Agent (1)： 香川 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998203955
Publication number (International publication number)：2000038657
Application date： Jul. 17, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】真空蒸着法を用いてITOなどの導電性酸化膜を従来よりも高品質かつ安価に作成するために、大電力の高周波プラズマ電源を用いて長時間蒸着した場合においてもプラズマ生成電極の対極で生じるアークを抑制することができるため、プラズマ状態を安定的に保てる蒸着装置を提供する。【解決手段】真空に排気可能な容器内に、蒸発源、基材保持機構、およびプラズマ生成電極をそれぞれ少なくとも一つずつ備え、前記蒸発源は蒸発材料保持具を備え、かつ前記プラズマ生成電極は高周波電源とプラズマ生成電極のインピーダンスを整合するためのマッチング回路を有し、接地された放電の対極の清浄な面積が常に対極表面積の20%以上を保つことを特徴とする蒸着装置。

Claim (excerpt)：

真空に排気可能な容器内に、蒸発源、基材保持機構、およびプラズマ生成電極をそれぞれ少なくとも一つずつ備え、該蒸発源は蒸発材料保持具を備え、かつ該プラズマ生成電極は高周波電源とプラズマ生成電極のインピーダンスを整合するためのマッチング回路と接続され、さらに該プラズマ生成電極の対極の清浄な面積が蒸着中に常に対極表面積の20%以上を保つことを特徴とする蒸着装置。

IPC (3)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/56

FI (3)：

C23C 14/24 T ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/56 A

F-Term (17)：

4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA43 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BC00 ,  4K029BC07 ,  4K029BC09 ,  4K029CA03 ,  4K029DB15 ,  4K029DB21 ,  4K029DD02 ,  4K029EA09 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  4K029KA03