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J-GLOBAL ID：200903060128846067
バンプ形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993008249
Publication number (International publication number)：1994216135
Application date： Jan. 21, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【構成】 ウエハ(チップ1a)の電極上に、第1層7と、この第1層7の表面を覆う接合材としての第2層21とからなるバンプ3を形成するバンプ形成方法であって、上記電極上に上記第1層7をメッキにより形成した後、一側面に上記第2層21となるハンダ層19が被着された帯状テ-プ13の前記一側面を、上記第1層7に対向させたならば、ボンディングツ-ル16を用い、上記第1層7と上記テ-プ13の一側面とを熱圧着することで、上記第2層21を上記第1層7の表面に形成するものである。【効果】 第1層の表面に第2層を形成する際に、複雑でかつ高精度な位置合わせを必要とせず、かつ上記第2層の厚さコントロ-ルを容易に行うことができるという効果がある。
Claim (excerpt)：
半導体素子の電極上に、第1層と、この第1層の表面を覆う第2層とを有するバンプを形成するバンプ形成方法において、上記電極上に上記第1層をメッキにより形成する第1の工程と、一側面に上記第2層となる材料が被着された帯状テ-プの前記一側面を、上記第1層に対向させる第2の工程と、上記第1層と上記テ-プの一側面とを熱圧着することで、上記第2層となる材料を上記第1層の表面に転写する第3の工程とを有することを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
