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J-GLOBAL ID：200903060146271209

半導体装置

Inventor： 小町 友則
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995246107
Publication number (International publication number)：1997092821
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 出力容量が小さく、高耐圧の横型DMOS形FETを形成する半導体装置を実現することを目的にする。【解決手段】 本発明は、ドレイン層,ドリフトチャネル層,ゲート電極,ソース層の順に中心からレーストラック形状に形成され、ドレイン層からドレイン電極をレーストラック形状の外部に引き出す横型DMOS形FETを形成する半導体装置に改良を加えたものである。本装置は、ドレイン電極下に層間膜を介して形成されるゲート電極を平坦な酸化膜上に形成することを特徴とする装置である。

Claim (excerpt)：

ドレイン層,ドリフトチャネル層,ゲート電極,ソース層の順に中心からレーストラック形状に形成され、ドレイン層からドレイン電極をレーストラック形状の外部に引き出す横型DMOS形FETを形成する半導体装置において、前記ドレイン電極下に層間膜を介して形成される前記ゲート電極を平坦な酸化膜上に形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 29/78 301 D ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 G