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J-GLOBAL ID：200903060147110462

液晶表示装置

Inventor： 田川 晶 ,  伊藤 信行
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145918
Publication number (International publication number)：1993341289
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高速のスイッチングと高コントラストの液晶表示装置【構成】 表面に電極が選択的に形成され、さらにその上に絶縁膜、配向膜を形成された後、一軸配向処理を施された一対の基板を、その一軸配向処理の方向を上下基板において、略平行になるよう互いに対向させて配置されるとともに、これらの基板間にカイラルスメクチックC相を有する液晶が介在されて液晶パネルとし、前記電極に選択的に電圧を印加されることによって液晶の光軸を切り替える駆動手段と、 光軸の切り替えを光学的に識別させる手段を有する強誘電性液晶表示装置において、液晶分子の基板近傍での反転を伴うスイッチング過程を有し、配向膜に界面活性剤を添加することによって、液晶と基板界面の相互作用を制御することを特徴とする強誘電性液晶表示装置。

Claim (excerpt)：

表面に電極が選択的に形成され、さらにその上に絶縁膜、配向膜を形成された後、一軸配向処理を施された一対の基板を、その一軸配向処理の方向を上下基板において、略平行になるよう互いに対向させて配置されるとともに、これらの基板間にカイラルスメクチックC相を有する液晶が介在されて液晶パネルとし、前記電極に選択的に電圧を印加されることによって液晶の光軸を切り替える駆動手段と、 光軸の切り替えを光学的に識別させる手段を有し、上記液晶のカイラルスメクチックC相に於ける層構造が「く」の字に折れ曲がったシェブロン構造であり、上記一軸配向処理方向と上記カイラスメチックC相の層構造の関係から生じる配向領域が、一軸配向処理方向に発生するライトニング欠陥とその欠陥の後方に発生するヘアピン欠陥に囲まれた領域の内側、もしくは、一軸配向処理方向に発生するヘアピン欠陥と後方に発生するライトニング欠陥に囲まれた領域の外側であり、ネマテイック液晶を用いた磁場容量法により求められる上記の液晶分子のプレチルト角θP が、8度から35度であり、かつ前記配向膜が界面活性剤を含有することを特徴とする強誘電性液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/133 560

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-077920
  
• 特開平3-252624
  
• 特開平3-288825