Pat

J-GLOBAL ID：200903060156797527

側膜の除去方法

Inventor： 堀池 靖浩 ,  北川 英夫
Applicant, Patent owner： 堀池 靖浩 ,  日本鋼管株式会社
Agent (1)： 瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991239556
Publication number (International publication number)：1993082484
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置の製造などに際して、エッチング処理によって生成された側壁に付着している側壁膜や再堆積膜などの側膜の除去方法に関する。【構成】 SiO2層間絶縁膜などの下地B上に形成されたAl配線などの被エッチング膜Mに対して斜め方向に入射する粒子によって、この被エッチング膜Mの側壁に存在する側壁膜Ws、再堆積膜Wpなどからなる側膜を除去するようにした。この斜め方向に入射する粒子としては、イオン,ラジカルあるいは中性粒子を用いることができ、イオンあるいはラジカルとしては、水素、酸素あるいは窒素のいずれかを用いることができる。このように、粒子を斜め方向に入射させるためには、磁場によって方向が制御されたプラズマを用いたり粒子源と下地とを相対的に斜めに設置すればよい。

Claim (excerpt)：

下地上に形成されたエッチング残存部に対して斜め方向に入射する粒子によって、この残存部の側壁に存在する側膜を除去することを特徴とする側膜の除去方法。