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J-GLOBAL ID：200903060158072228

電荷転送装置

Inventor： 豊田 新
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992326360
Publication number (International publication number)：1994177171
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】電荷転送装置の電極間の絶縁耐圧を向上させ、ショートによる製造歩留り低下を防ぐ。【構成】第1ゲート電極5の上面にシリコン酸化膜4を側面にシリコン窒化膜又はポリシリコン膜6を形成し、第1ゲート電極5の露出部分を除去し、第2ゲート絶縁膜7を設けたのちに第2ゲート電極8を形成する。

Claim (excerpt)：

第1のゲート絶縁膜が形成された半導体基板上に、上面に絶縁膜が積層された第1のゲート電極が形成され、該第1のゲート電極の側面に絶縁膜もしくは多結晶シリコン膜のサイドウォールが形成され、該第1のゲート電極の直下部分以外の該第1のゲート絶縁膜が除去された後該半導体基板上に第2のゲート絶縁膜が形成され、該第2のゲート絶縁膜を介して第2のゲート電極が形成されている構造を有することを特徴とする電荷転送装置。

IPC (2)：

H01L 21/339 ,  H01L 29/796

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-107930
  
• 特開平4-279036
  
• 電荷転送素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149332   Applicant：三菱電機株式会社