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J-GLOBAL ID：200903060164953309

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 須郷 満 ,  天明 二郎 ,  西谷 昭彦 ,  倉持 栄一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994210541
Publication number (International publication number)：1996056047
Application date： Aug. 10, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化などが起る欠点のない信頼性の高い半導体装置を提供すること。【構成】 基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、AlGaAsガイド層4、AlGaAsSCH層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、AlGaAsSCH層7、AlGaAsガイド層8、p-AlGaAsクラッド層9、p+ -GaAsコンタクト層10を形成してなる半導体装置において、非励起領域に半導体層からなるAlGaAs電流ブロック層11を設ける構造。

Claim (excerpt)：

端面近傍に非励起領域を有する半導体装置において、前記非励起領域に半導体層からなる電流ブロック層を設けることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-253985
  
• 特開平4-014277
  
• 特開平4-307778