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J-GLOBAL ID:200903060165883363

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991252530
Publication number (International publication number):1993090495
Application date: Sep. 30, 1991
Publication date: Apr. 09, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 十分なキャパシタ容量を確保することができ、信頼性の高いキャパシタを提供する。【構成】 2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成した後、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜中に第2の金属をイオン注入した後、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。第1の金属の酸化物を堆積したのち、第2の金属をイオン注入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜の所定の深さまで第2の金属をイオン注入したのち、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。
Claim (excerpt):
第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、前記第1の電極の上層に、2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成する工程と、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する熱処理工程と、この上層に第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/108
FI (2):
H01L 21/265 A ,  H01L 27/10 325 J

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