Pat

J-GLOBAL ID：200903060165883363

半導体装置の製造方法

Inventor： 水島 一郎 ,  柏木 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252530
Publication number (International publication number)：1993090495
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 十分なキャパシタ容量を確保することができ、信頼性の高いキャパシタを提供する。【構成】 2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成した後、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜中に第2の金属をイオン注入した後、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。第1の金属の酸化物を堆積したのち、第2の金属をイオン注入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜の所定の深さまで第2の金属をイオン注入したのち、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。

Claim (excerpt)：

第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、前記第1の電極の上層に、2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成する工程と、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する熱処理工程と、この上層に第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 21/265 A ,  H01L 27/10 325 J