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J-GLOBAL ID：200903060169344629

Al系金属配線構造およびそのパターニング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994072364
Publication number (International publication number)：1995283216
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SiON等Oを構成元素として含む反射防止層を用いた微細幅のAl系金属配線を、形状制御性よくパターニングするための配線構造およびそのパターニング方法を提供する。【構成】 Al系金属層3上の反射防止層4をF系ガスで等方性エッチングしてアンダカットを入れた後、Al系金属層3をCl系ガスで異方性エッチングする。アンダカット部をイオウ系材料で被覆してもよい。【効果】 レジストマスクの後退による反射防止層の露出がなく、反射防止層がエッチングされてOをプラズマ中に放出することがない。従ってAl系金属層パターニング時に側壁保護膜形成が阻害されず、異方性加工が可能となる。反射防止層がAl系金属層より幅狭に形成された構造なので、層間絶縁膜のステップカバリッジも向上する。

Claim (excerpt)：

Al系金属層上にOを構成元素として含む反射防止層が形成されたAl系金属配線構造において、前記反射防止層の幅が該Al系金属配線の幅よりも狭く形成されているとともに、前記反射防止層が形成されている部位以外の該Al系金属配線の上面は、AlFx が形成された構造を含むことを特徴とする、Al系金属配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D