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J-GLOBAL ID：200903060182431247

複合半田材料及びその製造方法

Inventor： 岸本 浩一 ,  小泉 保
Applicant, Patent owner： 田中電子工業株式会社
Agent (1)： 早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995022472
Publication number (International publication number)：1996215881
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体チップを半田材料を介して基板上に接続する際、半田材料として粒状物を混入した長尺複合半田材料を用い、その適量を基板に載せた状態で加熱し溶融させる時、200°C以下で溶融出来、半田溶融物の高さの水平度が従来に比して更に向上し、ボイドを生じさせず所定の接合強度が維持できるペレット用素材としての長尺複合半田材料及びその製造方法を提供する。【構成】55〜65重量%Snを含有し残部Pbからなる半田材料基材に粒状物を0.01〜5重量%混入し、塑性加工を施してテープ状又はワイヤー状の複合半田材料を得た。該材料を所定形状に加工し適量を基板1に載せた状態で加熱し溶融させると、200°C以下で溶融出来ると共に、半田溶融物2の高さの水平度が従来に比してより向上し、所定の接合強度が維持できる。

Claim (excerpt)：

55〜65重量%Snを含有し残部が不可避不純物を除いてPbからなる半田材料を基材とし、これに粒状物が0.01〜5重量%混入されていることを特徴とする半導体チップ接続用長尺複合半田材料。

IPC (4)：

B23K 35/26 310 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/40 340 ,  C22C 13/00

FI (4)：

B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/14 Z ,  B23K 35/40 340 H ,  C22C 13/00