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J-GLOBAL ID：200903060199152589

潜像測定を用いたフォトリソグラフィ制御方法及びその装置

Inventor： ウイシク・ヨーン ,  ロバート・ダブリュ・アリソン,ジュニア ,  ロナルド・ピー・コヴェイス
Applicant, Patent owner： ナショナル セミコンダクタ コーポレイション
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043742
Publication number (International publication number)：1994317913
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 迅速で再現性のあるフォトリソグラフィ制御方法及びその装置を提供する。【構成】 半導体ウェーハの処理方法及びその装置であり、ステッパからウェーハを取り外すことなく既露光で未現像のフォトレジストの光学特性を観察することを包含するものである。本発明は、フォトレジスト層を備えたウェーハをフォトリソグラフィ装置内に装填し、露光時間を含む初期セットの制御パラメータに従って前記フォトレジストに露光を行い、前記フォトリソグラフィ装置内のウェーハ及び/又は焦点を変更する、というステップを備えたものである。フォトレジストの現像に先立ち、潜像を検出する位相差顕微鏡を用いて既露光フォトレジストの光学特性を観察する。次いで、その潜像の観察に従って前記初期セットの制御パラメータを調節して第2のセットの制御パラメータを生成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの処理方法であって、この方法が、(a)フォトレジスト層を備えた第1のウェーハをフォトリソグラフィ装置内に装填し、(b)初期セットの制御パラメータに従って前記フォトレジストに露光を行い、(c)前記フォトレジストの現像に先立ち位相差顕微鏡を用いて前記フォトレジストの光学特性を観察し、(d)第2のセットの制御パラメータを生成するために前記初期セットの制御パラメータを調節する、というステップより成ることを特徴とする、半導体ウェーハの処理方法。

IPC (7)：

G03F 7/26 501 ,  G03B 27/72 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  G06F 15/62 405 ,  G06F 15/62 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 522 Z