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J-GLOBAL ID：200903060201074698

半導体装置の電極形成方法

Inventor： 村上 進 ,  鶴岡 征男 ,  松崎 光幸 ,  菅野 実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997100048
Publication number (International publication number)：1998287980
Application date： Apr. 17, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】無電解ニッケルめっきにより形成しためっき厚が不均一になり、半導体ペレットにクラックが発生する。【解決手段】めっき液中に増粘度剤を溶存させた無電解ニッケルめっき電極形成方法を用いる。【効果】無電解ニッケルめっき液中に増粘度剤を溶存させることにより、均一で接着強度が強く、機械的強度も強い緻密なニッケル電極を形成できる。

Claim (excerpt)：

第1の無電解ニッケルめっきの前処理として、露出した半導体表面を清浄化させた後、希釈フッ化水素酸と塩化パラジウム水溶液に浸漬し触媒化処理する工程において、希釈フッ化水素酸と塩化パラジウム水溶液中に増粘度剤を溶存したことを特徴とする半導体装置の電極形成方法。

IPC (2)：

C23C 18/30 ,  H01L 21/288

FI (2)：

C23C 18/30 ,  H01L 21/288 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-234126
  
• 特開昭64-073082
  
• 特開昭56-058232