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J-GLOBAL ID：200903060203829874
pn接合型発光ダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121203
Publication number (International publication number)：1994334214
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【構成】 n型SiC単結晶基板上に、少なくともn型SiC単結晶層からなる発光層と、該発光層上に第1のp型SiC単結晶層を有したpn接合型SiC発光ダイオードであって、前記発光層が5μm以上の層厚を有するpn接合型発光ダイオード。【効果】 実用化の可能な高光度の青色発光を呈するpn接合型発光ダイオードを提供することができる。
Claim (excerpt)：
n型SiC単結晶基板上に、少なくともn型SiC単結晶層からなる発光層と、該発光層上に第1のp型SiC単結晶層を有したpn接合型SiC発光ダイオードであって、前記発光層の層厚が5μm以上であることを特徴とするpn接合型発光ダイオード。
IPC (3)：
H01L 33/00
, C01B 31/36
, H01L 21/205
