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J-GLOBAL ID：200903060205535967

光電変換素子

Inventor： 宮本 浩久 ,  西沢 秀之 ,  細矢 雅弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996056473
Publication number (International publication number)：1997246580
Application date： Mar. 13, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大面積化が可能でありフレキシブルなπ共役系高分子を使用し、しかも太陽電池に用いた場合光電変換効率を無機半導体/π共役系高分子型太陽電池のそれよりも向上させることができる光電変換素子の提供。【解決手段】 フラーレンを含有する層からなる半導体層と、その半導体層上に形成された光電解重合π共役高分子層とを具備したことを特徴とする光電変換素子。

Claim (excerpt)：

フラーレンを含有する半導体層と、その半導体層上に形成された光電解重合π共役高分子層とを具備したことを特徴とする光電変換素子。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 31/04 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T