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J-GLOBAL ID：200903060205721809

炭素被膜の形成方法

Inventor： 平野 均 ,  蔵本 慶一 ,  堂本 洋一 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994201133
Publication number (International publication number)：1996067985
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜磁気ヘッドのように磁場や高温などで破壊等を生じるおそれがある基板の上にECRプラズマCVD法により炭素被膜を形成する際、磁場や高温などによる破壊等の発生を防止する。【構成】 第1の磁界発生手段であるプラズマ磁界発生装置6からの磁場を用いてECRにより高密度プラズマを発生させ、このプラズマ中に炭素を含むガスを導入して分解し、高周波電源10からの高周波電圧を印加した基板13上に炭素被膜を形成する方法であり、基板13の近傍に第2の磁界発生手段としての磁界発生装置17を設け、プラズマ磁界発生装置6による磁場を基板13の近傍で減少させるとともに、基板13に発生する自己バアイス電圧を炭素被膜の形成とともに低下させることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

第1の磁界発生手段からの磁場を用いて電子サイクロトロン共鳴により高密度プラズマを発生させ、このプラズマ中に炭素を含むガスを導入して分解し、高周波電圧を印加した基板上に炭素被膜を形成する方法において、前記基板の近傍に第2の磁界発生手段を設け、前記第1の磁界発生手段による磁場を前記基板上近傍で減少させるとともに、前記基板に印加する高周波電圧を炭素被膜の形成とともに低下させることを特徴とする炭素被膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/31