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J-GLOBAL ID：200903060213654169

光増幅装置

Inventor： 井上 恭 ,  吉野 學
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 井出 直孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115959
Publication number (International publication number)：1996313944
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体光増幅装置の利得飽和特性を改善する。【構成】 半導体光増幅器12に、その利得波長帯域の短波長側であって利得がピーク利得に比較して十分に小さいかあるいは損失が生じる波長λp のポンプ光を信号光に加えて入力する。

Claim (excerpt)：

バイアス電流の印加により反転分布が形成されて信号光を増幅する半導体光増幅器を備えた光増幅装置において、この半導体光増幅器に波長λs の信号光に加えて波長λp のポンプ光を入力する手段を備え、このポンプ光の波長λp が、前記半導体光増幅器の利得波長帯域の短波長側であって、利得がピーク利得に比較して十分に小さいかあるいは損失が生じる波長に設定されたことを特徴とする光増幅装置。

IPC (5)：

G02F 1/35 501 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/096 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/18

FI (5)：

G02F 1/35 501 ,  H01S 3/096 ,  H01S 3/10 Z ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/094 S