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J-GLOBAL ID：200903060218825883

化学増幅型レジストパターンの形成方法

Inventor： 及川 朗 ,  田中 裕之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992002966
Publication number (International publication number)：1993188594
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電離放射線の照射によるパターン形成において、解像性に優れ、かつパターン形状の良好なパターンを形成することができる化学増幅型レジストパターン形成方法を開発する。【構成】 アルカリ可溶性フェノール性樹脂、酸の存在下に前記フェノール性樹脂の架橋剤として作用する化合物、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤及び溶剤を主成分として含有してなるネガ型化学増幅レジスト組成物を基板上に塗布する工程、第一の加熱処理工程、電離放射線の照射工程、第二の加熱処理工程及び現像工程の各工程を順次含んでなるネガ型化学増幅レジストパターンの形成方法において、第二の加熱処理工程と第一の加熱処理工程との温度差(第二の加熱温度-第一の加熱温度)を10°Cより大きくかつ20°Cより小さくすることからなる化学増幅型レジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性のフェノール性樹脂、酸の存在下に前記フェノール性樹脂の架橋剤として作用する化合物、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤及び溶剤を主成分として含有してなるネガ型化学増幅レジスト組成物を基板上に塗布する工程、第一の加熱処理工程、電離放射線の照射工程、第二の加熱処理工程及び現像工程の各工程を順次含んでなる化学増幅型レジストパターンの形成方法において、第二の加熱処理工程と第一の加熱処理工程との加熱温度差(第二の加熱温度-第一の加熱温度)を10°Cより大きくかつ20°Cより小さくすることを特徴とする化学増幅型レジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027