Pat

J-GLOBAL ID：200903060234161693

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 東 道也 ,  内田 健 ,  藤枝 新悦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054713
Publication number (International publication number)：1993259316
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】高温下での耐クラック性及び耐湿信頼性に優れた、特に表面実装タイプの装置として効果的な樹脂封止型半導体装置を提供すること。【構成】半導体素子を封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂が、(a)下記の一般式(I)で表されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、R1、R2、R3及びR4は、水素又はアルキル基を示し、n≧0である。)(b)硬化剤、(c)充填剤、(d)離型剤、を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であり、前記離型剤が、エステル系ワックス、酸化パラフィンワックス、および、オレフィン系ワックスの三成分からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体素子を封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂が、(a)下記の一般式(I)で表されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、R1、R2、R3及びR4は、水素又はアルキル基を示し、n≧0である。)(b)硬化剤、(c)充填剤、(d)離型剤、を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であり、前記離型剤が、エステル系ワックス、酸化パラフィンワックス、および、オレフィン系ワックスの三成分からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/24 NHQ ,  C08K 3/00 NKT ,  C08L 63/00 NJM