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J-GLOBAL ID：200903060267488094

発光ダイオードおよびその製造方法

Inventor： 加藤 俊宏
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995332061
Publication number (International publication number)：1997172198
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発光効率が高く、順方向電圧が低く、且つ高い生産効率で得ることができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 発光ダイオード10は、その表面側に p型半導体であるキャップ層20が位置する活性層16を含む複数の半導体層(すなわち第1クラッド層14乃至キャップ層20)から成る結晶成長層と、その活性層16で発生する光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーが大きくキャップ層20と同様な p型半導体から構成されて、その結晶成長層の表面側に設けられてその結晶成長層よりも厚い透明基板22と、結晶成長層と透明基板22との界面30近傍に形成され、キャップ層20および透明基板22を p型半導体とするための不純物(例えばZn等)が高濃度で拡散された高濃度拡散領域32と、基板12の裏面側および透明基板22の上面28の一部にそれぞれ設けられた下部電極24および上部電極26とを含んで構成される。

Claim (excerpt)：

発光層を含む複数の半導体層を備え、該発光層で発生した光を該複数の半導体層の表面側から取り出す形式の発光ダイオードであって、前記表面側に所定の導電型の第1半導体層が位置するように結晶成長により順次積層された発光層を含む複数の半導体層から成る結晶成長層と、前記発光層で発生する光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーが大きく且つ導電型が前記第1半導体層と同様な半導体から構成され、前記結晶成長層よりも大きい厚さを備えて該結晶成長層の前記表面側に設けられた第2半導体層と、前記結晶成長層と前記第2半導体層との界面近傍に形成され、前記第1半導体層および該第2半導体層を前記所定の導電型とするための不純物が該第1半導体層および該第2半導体層よりも高濃度で拡散された高濃度拡散領域と、前記結晶成長層の前記第1半導体層とは反対側の裏面側および前記第2半導体層の表面の一部にそれぞれ設けられた下部電極および上部電極とを、含むことを特徴とする発光ダイオード。