半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257881
Publication number (International publication number)：1998107369
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】接合界面付近の活性層に酸化に起因する非発光再結合準位が形成され、レーザ発振に寄与しない無効電流が発生する。さらに、結晶欠陥が発生し、無効電流のさらなる増大が生じる。【解決手段】第1導電型のGaAs基板1上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層2と、活性層5と、第2導電型の第2クラッド層7とを有し、少なくとも前記活性層5と第2クラッド層7を含む領域にメサストライプ9が形成され、該メサストライプ9の外部には第1、第2、第3電流阻止層10、11、12を備えてなり、前記活性層5はAlを含まないInGaAsPから成り、前記第1、第2クラッド層2、7は少なくともAlを含有してなる。また第1、第2クラッド層2、7よりも禁制帯幅の小さい第1、第2ガイド層4、6、あるいは第1クラッド層より禁制帯幅の小さい保護層3を設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とを有し、少なくとも前記活性層と第2クラッド層を含む領域がメサ状領域からなり、該メサ状領域の外部には電流阻止領域を備えてなる半導体レーザ素子において、前記活性層はAlを含まないInGaAsPから成り、前記第1、第2クラッド層は少なくともAlを含有してなることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レーザーダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320898 Applicant：ゼロックスコーポレイション
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047644 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-094387 Applicant：住友電気工業株式会社

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