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J-GLOBAL ID：200903060273088235

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体

Inventor： 田 透 ,  岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187668
Publication number (International publication number)：2002004087
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 陽極酸化により作製される細孔の乱れや欠陥を少なくし、より規則的なナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 Alを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、バリアー皮膜の少なくとも一部を除去して細孔の形成位置を決めてから陽極酸化によるポーラス皮膜を作製するナノ構造体の製造方法。

Claim (excerpt)：

Alを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、該バリアー層の下の該被陽極酸化層、もしくは該バリアー層を除去した後の該被陽極酸化層に陽極酸化によるポーラス皮膜を作製することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (5)：

C25D 11/12 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16 302

FI (5)：

C25D 11/12 Z ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16 302