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J-GLOBAL ID：200903060288539438

シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 宝来 正隆 ,  本山 勝則
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088298
Publication number (International publication number)：1994321692
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 スループットの低下やコストの増大をなくし、また重金属汚染が低濃度で且つ重金属が深く拡散することなく、低BMD密度を実現する。【構成】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する際に、シリコンウェーハを700°C〜1200°Cの温度範囲で、昇温のみによる0秒から60秒の時間範囲で熱処理する。また、前記熱処理する際に、タングステン・ハロゲン・ランプを用いた赤外線輻射加熱により枚葉処理を行なう。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する際に、シリコンウェーハを700°C〜1200°Cの温度範囲で、昇温のみによる0秒から60秒の時間範囲で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/00 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-249336
  
• 特開平3-240238
  
• 特開昭58-048380