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J-GLOBAL ID：200903060288709210
半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991276506
Publication number (International publication number)：1994124887
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去でき、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト発生を抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれに使用できる基板洗浄装置の提供。【構成】半導体基板1上にフォトレジスト2を形成し、基板1周辺部のフォトレジスト2を洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による第1の洗浄工程と、この第1の洗浄工程における残渣除去のための第2の洗浄工程とを少なくとも備え、例えば第2の洗浄は、第1の洗浄(位置(a))よりも洗浄位置が基板周辺側にある(位置(b))か、あるいは第1の洗浄よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を行う半導体装置の製造方法、及びこれに用いる基板洗浄装置。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による第1の洗浄工程と、この第1の洗浄工程における残渣除去のための第2の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 7/16
, H01L 21/304 341
