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J-GLOBAL ID：200903060288955229

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000121370
Publication number (International publication number)：2001308381
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するIII族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したnサイドアップ型のIII族窒化半導体発光素子を提供する。【解決手段】p形導電性のSi単結晶からなる基板上に、BP系材料からなる緩衝層と、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。上記緩衝層、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。
Claim (excerpt)：
p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、該p形単結晶層に接して設けられた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、該p形III族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを具備するIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
F-Term (50)：
4G077AA03 ,  4G077BE06 ,  4G077BE42 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038259   Applicant：株式会社東芝
  • III族窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-154116   Applicant：寺嶋一高

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