Pat
J-GLOBAL ID:200903060288955229
III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柿沼 伸司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000121370
Publication number (International publication number):2001308381
Application date: Apr. 21, 2000
Publication date: Nov. 02, 2001
Summary:
【要約】【課題】立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するIII族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したnサイドアップ型のIII族窒化半導体発光素子を提供する。【解決手段】p形導電性のSi単結晶からなる基板上に、BP系材料からなる緩衝層と、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。上記緩衝層、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。
Claim (excerpt):
p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、該p形単結晶層に接して設けられた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、該p形III族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを具備するIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (4):
H01L 33/00
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
, H01S 5/323
FI (4):
H01L 33/00 C
, C30B 29/40 502 H
, H01L 21/205
, H01S 5/323
F-Term (50):
4G077AA03
, 4G077BE06
, 4G077BE42
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB15
, 5F045AC01
, 5F045AC02
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045AE29
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB07
, 5F073CB22
, 5F073DA04
, 5F073DA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-038259
Applicant:株式会社東芝
-
III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-154116
Applicant:寺嶋一高
Return to Previous Page