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J-GLOBAL ID：200903060296350255
半導体発光素子の評価装置及び評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992093752
Publication number (International publication number)：1993267718
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 オン・ウェハ状態で光出力の測定を効率よく行うことができる評価装置及び評価方法を得る。【構成】 出力光に対して透明な基板8上に形成した回折格子9をレーザ素子2,3間に挿入し、回折格子9で出力光を上方に反射させて受光素子50に入射させる構成とする。
Claim (excerpt)：
分離溝により分離された複数の半導体発光素子の端面から略水平方向に出射される出力光をウエハ状態で測定する半導体発光素子の評価装置において、上記半導体発光素子の発光領域近傍に回折格子を有し、出力光に対して透明な基板と、該基板上の上記回折格子上方に配置された受光器とを備え、上記発光領域から出射された出力光を上記回折格子により反射させて上記受光器に入射させるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の評価装置。
IPC (4)：
H01L 33/00
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01S 3/18
