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J-GLOBAL ID：200903060308813906

赤外線用光路の作製方法

Inventor： 井上 亨 ,  角野 真也 ,  林 茂則 ,  宮永 昭治
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100482
Publication number (International publication number)：1993273425
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】赤外線用光路を作製する方法を提供する。【構成】平行平板型高周波プラズマCVD装置を用いて、赤外線に対して透明なダイヤモンドライクカーボン=DLC薄膜を作製する方法において、基板材料が負となるように直流バイアス電位を設け、この電位を調節する事により、膜の水素濃度、屈折率及び硬度を変化させる工程と、電極の表面に誘電率の異なる誘電体によって光路のパターンを形成することにより、電極間に局所的なプラズマ密度の差を設けて膜を形成することで、マスキングを行うこと無しに水素濃度、屈折率及び硬度が異なるパターンを作製する赤外線用光路の作製方法。

Claim (excerpt)：

無定形炭素薄膜を平行平板型高周波プラズマCVD装置を用いて作製する方法において、基板材料を載置した電極の電位が負となるように直流バイアス電位を設け、この電位を調節する事により、膜の水素濃度、屈折率及び硬度を変化させることを特徴とする赤外線用光路の作製方法。

IPC (3)：

G02B 6/12 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26