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J-GLOBAL ID：200903060310892295
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065167
Publication number (International publication number)：1998261830
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 素子を劣化させる工程を含まない簡単な方法で、表面出射を可能にするヒートシンク構造を実現し、高いレーザ出力と高い信頼性を有する面発光型半導体レーザを提供すること。【解決手段】 少なくとも一部が突起状の共振器を持つ垂直共振器型の面発光型半導体レーザにおいて、共振器突起部108の周囲に融点が400°C以下の埋めこみ金属112が埋め込まれてなるので,放熱性が飛躍的に高まり,駆動中の素子温度の上昇を抑えレーザ出力の向上を可能とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも一部が突起状の共振器を持つ垂直共振器型の面発光型半導体レーザにおいて、前記突起状共振器の周囲に融点が400°C以下の埋め込み金属が埋め込まれてなることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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