銅配線ならびにその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：開口宗昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997301163
Publication number (International publication number)：1999135461
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明が解決しようとする課題は、高純度で電気的特性に優れた銅薄膜の配線を提供することである。また、そのような銅配線を可能とする製造方法を提供することである。【解決手段】炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたCVD法において、フッ素を含有するガスを供給すると、このフッ素及び、原料ガス供給用の水素が反応に寄与し、不純物は気体として表面から脱離する。従って基板との界面付近における不純物濃度の上昇が抑制され、得られる銅配線は、低電気抵抗で信頼性が高い。特に微細化された配線においてその効果が大きい。

Claim (excerpt)：

炭素及びフッ素からなる基を持つ有機銅化合物を原料として用いたCVD法において、フッ素を含有するガスを少なくとも成膜初期において原料と同時に供給して得られることを特徴とする銅配線。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C23C 16/18 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/285 301 Z , H01L 21/285 C , C23C 16/18 , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-016142 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-024073 Applicant：株式会社東芝

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