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J-GLOBAL ID：200903060326434068

強誘電体膜の結晶化方法

Inventor： 石原 数也 ,  大西 茂夫
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014472
Publication number (International publication number)：1993206382
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 基板1上に下部キャパシタ電極2を形成した後、Pbを有する強誘電体膜3,例えば、PZT膜を形成する。その後、キャップ層4として、Pt又は酸化物導電材料であるITO,RuO3,SnO2をスパッタ法で、又はシリコン酸化膜等を熱CVD法で膜厚200Å以上形成する。その後、熱処理を行い、結晶構造をペロブスカイト構造とする。次に、Pt又は酸化物導電膜をキャップ層4とした場合、該キャップ層4を、また、シリコン酸化膜をキャップ層4とした場合、HF溶液で除去した後、Pt膜等を形成して、上部キャパシタ電極とする。【効果】 熱処理時におけるPbの蒸発を防止することにより、ストイキオメトリーなペロブスカイト構造の、ち密な強誘電体膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

組成にPbを有する強誘電体膜の熱処理による結晶化方法において、上記熱処理前の上記強誘電体膜表面にキャップ層を形成し、その後上記熱処理を行うことを特徴とする、強誘電体膜の結晶化方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01B 3/00 ,  H01L 41/24 ,  H01L 37/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-118177
  
• 特開昭61-206766