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J-GLOBAL ID：200903060327556965

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
秋山 政彦

About 秋山 政彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318895
Publication number (International publication number)：1994163581
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 製造時の歩留まりやスループットの低下の問題を解消するとともに、投射型液晶表示装置などに用いられるような場合の光リーク電流の問題を解消したTFTを提供する。【構成】 半導体膜107自体のソース領域111およびドレイン領域115の少なくとも表面に不純物添加されてオーミック接合部が直接形成されているので、従来のような別体のオーミックコンタクト層(膜)を省略することができる。これにより従来のオーミックコンタクト層での反射光に起因したTFT光リーク電流を解消することができ、またオーミックコンタクト層の形成を省略できることにより歩留まりやスループットを向上することができる。
Claim (excerpt)：
透明絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、不純物が添加されて少なくとも表面にオーミック接合部が形成されたソース領域および不純物が添加されて少なくとも表面にオーミック接合部が形成されたドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル領域とを有する半導体膜と、透明導電膜から形成され前記ソース領域の表面に被着されて該ソース領域の表面にオーミック接合するソース配線および透明導電膜から形成され前記ドレイン領域の表面に被着されて該ドレイン領域の表面にオーミック接合するドレイン配線とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 特開平2-196222
  • 特開平2-062051
  • 特開昭63-158875
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Cited by examiner (19)
  • 特開平2-196222
  • 特開平2-196222
  • 特開平2-196222
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