Pat

J-GLOBAL ID：200903060333435002

セラミック回路基板

Inventor： 長瀬 敏之 ,  黒光 祥郎 ,  神田 義雄 ,  初鹿 昌文
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996221478
Publication number (International publication number)：1998065296
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】熱サイクルを繰返し付加してもセラミック基板にクラックが発生しない。【解決手段】セラミック基板13がSi3N4により形成され、このセラミック基板13の両面にAl-Si系ろう材を介して第1及び第2アルミニウム板11,12がそれぞれ積層接着される。また第1及び第2アルミニウム板11,12のAlの純度は99.98重量%以上である。

Claim (excerpt)：

Si3N4により形成されたセラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にAl-Si系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第1及び第2アルミニウム板(11,12)とを備えたセラミック回路基板。

IPC (6)：

H05K 1/09 ,  B32B 18/00 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/38

FI (6)：

H05K 1/09 C ,  B32B 18/00 B ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/38 C ,  H01L 23/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• セラミックス配線基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-003780   Applicant：株式会社東芝
• アルミニウム材の抵抗溶接法及びアルミニウム材からなる抵抗溶接品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022726   Applicant：本田技研工業株式会社, 昭和アルミニウム株式会社
• 高熱伝導性窒化けい素回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034933   Applicant：株式会社東芝