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J-GLOBAL ID：200903060333706430

半導体の成長方法、半導体発光素子の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 河合 弘治 ,  池田 昌夫 ,  中村 文彦 ,  橋本 茂樹 ,  朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006063811
Publication number (International publication number)：2006229241
Application date： Mar. 09, 2006
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止し、Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を高品質とする。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこの層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlGaNからなる保護膜を成長させ、その上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる場合に、Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層および保護膜を成長させる際のキャリアガスとしてN2 を用い、Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる際のキャリアガスとしてH2 とN2 との混合ガスを用いる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlGaNからなる保護膜を気相成長させ、この保護膜上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させるようにした半導体の成長方法において、 上記Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層および上記保護膜を気相成長させる際のキャリアガスとしてN2 を用い、上記Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させる際のキャリアガスとしてH2 とN2 との混合ガスを用いるようにした ことを特徴とする半導体の成長方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (4)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

F-Term (28)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AC15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AR23