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J-GLOBAL ID：200903060346832639

化学増幅フォトレジスト組成物

Inventor： ジェームズ・パトリック・コリンズ ,  ジュディー・ドーン ,  ジェームズ・トマス・ファヒー ,  リオ・リーネハン ,  ウィリアム・ジョン・ミラー ,  ウェイン・モロー ,  エリック・アルバート・プットリッツ ,  ランドルフ・スミス ,  ギャリー・スピニッロ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120452
Publication number (International publication number)：1996328253
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 マイクロブリッジを形成することなく信頼性のあるサブミクロン級のパターン形成が可能な、改良された、PHSベースの化学増幅ネガティブ調フォトレジストを提供する。【解決手段】 ポリヒドロキシスチレン(PHS)をベースとする化学増幅ネガティブ調フォトレジストにおけるマイクロブリッジの形成は、PHSをPHSとポリメタクリル酸メチル(PMMA)などのアクリル・ポリマーとのコポリマーと混合すると防止される。この混合物は少なくとも10重量%のコポリマーを含む。本発明は、広い範囲の分子量(2000〜50000ドルトン)のポリマーで実施可能であり、現像は工業標準の2.38重量%水酸化トリメチルアンモニウム(TMAH)現像液を用いて、フォトレジストに悪影響を及ぼすことなく達成できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも10重量%のポリヒドロキシスチレンとアクリル・ポリマーとのコポリマーと、90重量%までのポリヒドロキシスチレンとを有するポリマー混合物と、放射線露光により酸を生ずる酸生成化合物と、前記酸生成化合物から形成された前記酸によって活性化可能な架橋剤とを含む放射線感受性の化学増幅されたネガティブ調フォトレジスト組成物。

IPC (7)：

G03F 7/038 505 ,  C08F 12/22 MJU ,  C08L 25/18 LEK ,  C08L 33/04 LJB ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/038 505 ,  C08F 12/22 MJU ,  C08L 25/18 LEK ,  C08L 33/04 LJB ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R