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J-GLOBAL ID：200903060348282610

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

Inventor： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327215
Publication number (International publication number)：1993158235
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジストを実用化することを目的とする。【構成】 クレゾールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、このパターンを下層レジストに転写することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

クレゾールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (3)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 N