Pat

J-GLOBAL ID：200903060356791558

半導体薄膜の製造方法

Inventor： 田邉 浩 ,  世良 賢二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297169
Publication number (International publication number)：1995153684
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタ形成用の多結晶シリコン薄膜中の酸素濃度を均一化して同一基板上に形成する薄膜トランジスタのしきい値のばらつきを低減する。【構成】低アルカリガラス基板1上に形成してa-Si薄膜2の上にLPCVD法でSiO2 膜3を形成してa-Si薄膜2の表面に酸素を拡散した後、SiO2 膜3を除去してエキシマレーザビーム4でアニールし、多結晶シリコン薄膜5を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜の表面に酸素を供給する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜にレーザビームを照射してアニールし膜厚方向の酸素濃度分布を調整した多結晶シリコン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-085520
  
• 特開昭57-124423