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J-GLOBAL ID：200903060359249770

散乱メンブレンマスク及び露光方法

Inventor： 河田 真太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001102944
Publication number (International publication number)：2002299215
Application date： Apr. 02, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 マスクにダメージを与えることなくドライエッチング洗浄を行うことができる散乱メンブレンマスクを提供する。また、露光コストの上昇を抑えることができる荷電粒子線露光方法を提供する。【解決手段】 荷電粒子線露光装置において使用される、メンブレン上に散乱体パターンが形成された散乱メンブレンマスクであって、 前記散乱メンブレンマスクは、その表面に前記メンブレンとは異なる材質の薄膜を有することを特徴とする散乱メンブレンマスクとした。

Claim (excerpt)：

荷電粒子線露光装置において使用される、メンブレン上に散乱体パターンが形成された散乱メンブレンマスクであって、前記散乱メンブレンマスクは、その表面に前記メンブレンとは異なる材質の薄膜を有することを特徴とする散乱メンブレンマスク。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 S

F-Term (3)：

5F056AA06 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05