Pat

J-GLOBAL ID：200903060365997169

半導体装置

Inventor： 池田 光志 ,  水谷 嘉久 ,  上田 知正 ,  山路 貴美 ,  遠藤 尚彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072827
Publication number (International publication number)：1999274503
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スイッチング素子用の半導体島パターンを形成するためのマスク合わせが不要で、しかも光リークの改善された液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体島パターンが自己整合により形成されている半導体装置および半導体装置の製造方法による。

Claim (excerpt)：

基板上に、ゲート電極を形成し、該ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、チャネル層およびオーミックコンタクト層を介してソース電極とドレイン電極を設けてなる半導体装置において、前記ソース電極と前記ドレイン電極間の狭ギャップ部分にのみ半導体島パターンを自己整合により形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 618 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 C