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J-GLOBAL ID：200903060374716431

イオンプレーティング法および装置

Inventor： 笹川 孝市 ,  川又 克英 ,  大山口 まき子
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124557
Publication number (International publication number)：1994330293
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】基板の汚染、不純物の混入を防止して膜の良品率を向上させる。【構成】グロー放電からアーク放電を生じさせることで生成したプラズマ23を蒸発物に照射し、該蒸発物をイオン化することで成膜を行なうイオンプレーティング法において、成膜が行われる空間の圧力を、グロー放電を起こす段階、アーク放電を起こす段階および膜が形成される段階、の3つの段階についてそれぞれ所定の値に設定する。前記空間の圧力の設定は、この空間を排気する排気手段22の排気量を調整することで行なう。

Claim (excerpt)：

グロー放電からアーク放電を生じさせることで生成したプラズマを蒸発物に照射し、該蒸発物をイオン化することで成膜を行なうイオンプレーティング法において、成膜が行われる空間の圧力を、グロー放電を起こす段階、アーク放電を起こす段階および膜が形成される段階、の3つの段階についてそれぞれ所定の値に設定することを特徴とするイオンプレーティング法。