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J-GLOBAL ID:200903060383468300
コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995281959
Publication number (International publication number):1996213651
Application date: Oct. 30, 1995
Publication date: Aug. 20, 1996
Summary:
【要約】【課題】 AlGaInN系からなる層と電極との間の抵抗値を低減することにより、特性の向上した半導体装置、特に高輝度の青又は緑色の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(x≧0.9)層と薄膜のGaPyN1-y(y≦0.1)層を交互に積層した多層膜を有することを特徴とする半導体装置。
Claim (excerpt):
AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(x≧0.9)層と薄膜のGaPyN1-y(y≦0.1)層を交互に積層した多層膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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特開平2-288371
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特開平4-236477
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特開平4-236478
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特開平4-192585
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半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-141750
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-189178
Applicant:富士通株式会社
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