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J-GLOBAL ID：200903060387057291

薄膜形成装置

Inventor： 岡田 和人 ,  林 和志 ,  増井 卓也 ,  小林 明 ,  中上 明光 ,  師岡 久雄 ,  山田 寛 ,  森 勇藏
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  ティーディーケイ株式会社 ,  森 勇藏
Agent (1)： 小谷 悦司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000055220
Publication number (International publication number)：2001240971
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Sep. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】 パーティクルの発生を有効に抑止して高品質膜の高速形成を可能にする。【解決手段】 基板に対向するように回転電極REを配置し、この回転電極REを回転させながら基板との間にプラズマを発生させて、このプラズマで化学反応を起こさせることにより基板上に薄膜を形成する装置。前記回転電極REの周面上にガス噴出孔18bなどのガス噴出部を設ける。そこから前記化学反応に影響しないパージガスを噴出させることにより、良好な薄膜形成の障害となる回転電極近傍でのパーティクル発生や回転電極RE上への薄膜形成を抑止する。

Claim (excerpt)：

円筒状の外周面をもつ回転電極と、この回転電極を回転駆動する駆動手段と、この回転電極と対向する位置に基板を保持しながら当該基板を回転電極に対してその回転中心軸と略直交する方向に相対移動させる送り手段とを備え、前記回転電極を回転させながら当該回転電極と基板との間にプラズマを発生させることにより、このプラズマに供給された反応ガスに化学反応を起こさせて前記基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記回転電極の外周面上であって少なくとも前記基板上の薄膜形成領域に対応する領域に前記反応ガスと異なるパージガスからなるガス層を形成するパージガス層形成手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205

F-Term (26)：

4K030BA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EF03 ,  5F045EF15 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH15 ,  5F045EH20 ,  5F045EM10 ,  5F045GB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-201722   Applicant：三洋電機株式会社, 森勇藏
• プラズマCVD成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-173613   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-270777