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J-GLOBAL ID:200903060395632211

半導体素子収納用パッケージの実装構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995195207
Publication number (International publication number):1996279574
Application date: Jul. 31, 1995
Publication date: Oct. 22, 1996
Summary:
【要約】【課題】プリント基板などの外部電気回路基板に実装した場合、両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力によりパッケージを外部電気回路基板に安定に電気的接続させることができない。【解決手段】接続端子4が取着された絶縁基板1と、蓋体2とから成る容器6内部に半導体素子5が収納された半導体素子収納用パッケージAを、その表面に配線導体8を有し且つ少なくとも有機樹脂を含む絶縁体9からなる外部電気回路基板B上にパッケージの接続端子4を配線導体8に接合により実装してなる実装構造において、半導体素子収納用パッケージにおける絶縁基板が、セラミック焼結体からなり、且つ40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cであることを特徴とする。
Claim (excerpt):
接続端子が取着された絶縁基板と、蓋体とから成る容器内部に半導体素子が収納され、前記接続端子と前記半導体素子の電極とが前記絶縁基板の表面あるいは内部に配設されたメタライズ配線層により電気的に接続されてなる半導体素子収納用パッケージを、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に、前記半導体素子収納用パッケージの前記接続端子を前記配線導体にロウ付け接合し実装してなる半導体素子収納用パッケージの実装構造において、前記半導体素子収納用パッケージにおける絶縁基板がセラミック焼結体からなり、且つ40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cであることを特徴とする半導体素子収納用パッケージの実装構造。
IPC (3):
H01L 23/15 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2):
H01L 23/14 C ,  H01L 25/04 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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