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J-GLOBAL ID：200903060403064031

希土類イオン添加短波長レーザ装置、希土類イオン添加光増幅器及び希土類イオン添加波長変換器

Inventor： 東門 元二 ,  雄谷 順 ,  宇野 智昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028862
Publication number (International publication number)：1996307000
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザにより低しきい値で発振可能な高効率な短波長レーザ装置を提供する。【解決手段】 第1の励起光源101から出射された1210nmの波長の第1の励起光は第1のレンズ系105により集光されて光ファイバ107に入射される。第2の励起光源103から出射された650nmの波長の第2の励起光は合波器110及び第2のレンズ系106を通過して光ファイバ107に入射される。光ファイバ107のコア部に添加されたTmイオンは、第1の励起光を吸収することにより基底準位吸収遷移を行なうと共に、第2の励起光を吸収することによりレーザ上準位に励起準位吸収遷移を行ない、レーザ上準位から基底準位に発光遷移することにより460nm〜500nmの波長の光を放出する。Tmイオンが放出する460nm〜500nmの波長の光は入射ミラー108と出射ミラー109とから構成される共振器により共振させてレーザ光として出力される。

Claim (excerpt)：

1000nm〜1300nmの波長の第1の励起光を出力する第1の励起光源と、625nm〜820nmの波長の第2の励起光を出力する第2の励起光源と、前記第1の励起光及び第2の励起光が入射する入射部と460nm〜500nmの波長のレーザ光を出射する出射部とを有しており、前記第1の励起光を吸収することにより基底準位吸収遷移を行なうと共に、前記第2の励起光を吸収することによりレーザ上準位に励起準位吸収遷移を行ない、レーザ上準位から基底準位に発光遷移することにより460nm〜500nmの波長の光を放出するTmイオンが0.001%〜10%の濃度に添加された光学材料と、前記Tmイオンが放出する460nm〜500nmの波長の光を共振させてレーザ光を発振する共振器とを備えていることを特徴とする希土類イオン添加短波長レーザ装置。

IPC (6)：

H01S 3/17 ,  G02B 6/00 301 ,  G02B 6/00 376 ,  G02F 1/35 501 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/16

FI (6)：

H01S 3/17 ,  G02B 6/00 301 ,  G02B 6/00 376 B ,  G02F 1/35 501 ,  H01S 3/10 A ,  H01S 3/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-180279
  
• アツプコンバージヨンレーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-271855   Applicant：東ソー株式会社