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J-GLOBAL ID：200903060437187507

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 伊藤 茂稔 ,  小河 淳 ,  津田 有三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033107
Publication number (International publication number)：2002237660
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 N以外のV族元素を構成元素としてもつ窒化物系半導体を発光層に含む発光素子においては、発光素子成長中の発光層の劣化が問題であった。【解決手段】 本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に、第1導電型窒化物系半導体層を成長する第1の工程と、N以外のV族元素を構成元素として含む窒化物系半導体を有する発光層を温度T1を含む成長温度で成長する第2の工程と、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0.05≦a≦1)からなる変性防止層を温度T2を含む成長温度で成長する第3の工程と、第2導電型窒化物系半導体層を温度T3(T1<T3,T2<T3)を含む成長温度で成長する第3の工程とを、この順に有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1導電型窒化物系半導体層を成長する第1の工程と、N以外のV族元素を構成元素として含む窒化物系半導体を有する発光層を温度T1を含む成長温度で成長する第2の工程と、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0.05≦a≦1)からなる変性防止層を温度T2を含む成長温度で成長する第3の工程と、第2導電型窒化物系半導体層を温度T3(T1<T3,T2<T3)を含む成長温度で成長する第3の工程とを、この順に有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

F-Term (29)：

5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F073AA42 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA31 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28