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J-GLOBAL ID：200903060442436906
炭化ケイ素質ダミーウェハ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶 良之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062614
Publication number (International publication number)：1998256108
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 反りが少なく、生産性の向上及び製作コストの低減化という長所を生かしながら、さらに半導体製造時における半導体の汚染の程度をシリコン製ダミーウェハの場合よりも大幅に少なくすることができるSiC質ダミーウェハを提供する。【解決手段】 半導体プロセスにおいて使用されるSiC質ダミーウェハにおいて、多孔質SiC基体の表面に内側から外側へ向けて順に、CVD-Si膜及びCVD-SiC膜が積層形成したものである。
Claim (excerpt)：
半導体プロセスにおいて使用される炭化ケイ素質ダミーウェハにおいて、多孔質炭化ケイ素基体の表面に内側から外側へ向けて順に、CVD(Chmical Vapor Deposition) 法によるケイ素膜及びCVD法による炭化ケイ素膜が積層形成されてなることを特徴とする炭化ケイ素質ダミーウェハ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/205
