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J-GLOBAL ID：200903060453204853

半導体発光素子

Inventor： 上村 信行 ,  伴 雄三郎 ,  石橋 明彦 ,  武石 英見 ,  粂 雅博 ,  北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009004
Publication number (International publication number)：1997266355
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電流密度が小さく、かつ高い歩留まりで製造できる窒素を含むIII-V族化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明による半導体発光素子は、シリコン基板1と、該シリコン基板1の上に形成され、活性層6と該活性層の上下に設けられた1対のミラー構造4、8とを有する面発光構造体15であって、該活性層6および該ミラー構造4、8は、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている、面発光構造体15と、を備えている。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、該シリコン基板の上に形成され、活性層と該活性層の上下に設けられた1対のミラー構造とを有する面発光構造体であって、該活性層および該ミラー構造は、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている、面発光構造体と、を備えた半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C